当前位置：首页 > 产品中心
碳化硅半导体晶片生产设备
碳化硅半导体晶片生产设备
2021-10-29T12:10:22+00:00
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。 核心用于功率+射频器件，适用于 600V 以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子 拟 57 亿定增碳化硅材料、半导体设备，迈向半导体设备+材料龙头 1) 碳化硅衬底晶片生产基地项目：计划在宁夏银川建设年产 40 万片 6 英寸以上导电 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 面向未来的碳化硅芯片要如何制造？ 这就不得不提到一个概念：元胞。 一般来说，芯片是晶圆切割完成的半成品。 每片晶圆集成了数百颗芯片（数量取决于芯片大 科普｜碳化硅芯片怎么制造？面包板社区
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
碳化硅行业俨然已成为功率半导体器件行业的新战场。 以下为国内碳化硅产业主要公司： 山东天岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。 天科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳 该《方案》显示，东莞拟征收地块面积 6316 公顷，后续将用于保障东莞市天域半导体科技有限公司半导体项目的落地。 此外，《方案》显示，天域半导体是国内首家 天域半导体打造东莞8 英寸碳化硅外延晶片生产线，计划今年动工 3、晶锭加工： 将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。 4、晶体切割： 使用多线切割设备，将碳化 碳化硅晶片加工过程及难点碳化硅晶片高纯芯片半导体
碳化硅：第三半导体核心材料，产业链龙头全梳理半导体材料
基于碳化硅材料的半导体器件可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机械臂、飞行器等多个工业领域。 碳化硅材料的特性决定了它将会逐步取代传统硅 SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。 01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎1、碳化硅粉末单晶炉国内能够生产，热场依靠进口碳化硅产业链包括衬底外延器件三环节。 其中衬底质量取决于三个因素∶粉末、单晶炉和生产技术人员。 粉末、单晶炉我国能够自主生产，通过近几年的摸索国内已经实现了生产。 碳化硅历史短，国内处于转化阶段，国产单晶片距离国际还有很大差距。 碳化硅粉末∶目前虽然能完全生产，但是是否达到最高的6 碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。 核心用于功率+射频器件，适用于 600V 以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子 领域。 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是 东莞市天域半导体科技有限公司（TYSTC）成立于2009年1月，是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。 2010年天域半导体与中国科学院半导体所合作成立了“碳化硅技术研究院”，联合进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”，成为全球成为全球碳化硅外延晶片的主要生产商之一。 根据媒体报 国内碳化硅产业链企业大盘点全球半导体观察丨DRAMeXchange 碳化硅在半导体行业最早的应用，是用金刚砂线将3～12英寸单晶硅棒切割为硅片。 （2）碳化硅作为耐高温材料，一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、衬板、支撑件、匣钵、坩埚等；另一方面可用于 有色金属 冶炼工业的高温间接加热材料，如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等。 （3）碳化 碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一） 转载自：信熹
科普｜碳化硅芯片怎么制造？面包板社区
面向未来的碳化硅芯片要如何制造？ 这就不得不提到一个概念：元胞。 一般来说，芯片是晶圆切割完成的半成品。 每片晶圆集成了数百颗芯片（数量取决于芯片大小）， 每颗芯片由成千上万个元胞组成。 那元胞究竟要如何制造呢？ 步 注入掩膜。 首先清洗晶圆，淀积一层氧化硅薄膜，接着通过匀胶、曝光、显影等工艺步骤形成光刻胶图形，最后 碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点： 一、对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上； 二、长晶速度慢，7 天的时间大约可生长2cm 碳化硅晶棒； 三、晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作为半导体材料； 四、切割 碳化硅晶片加工过程及难点碳化硅晶片高纯芯片半导体 碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体 以 碳化硅 和 氮化镓 为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在 大功率、高频、高速、高温环境 下的性能限制，在 5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备 等前沿领域，发挥重要作用。 在摩尔定律遇到瓶颈、中国智造2025的大背景下，宽禁带半导体材料，无疑是中国半导体产业弯道超车 碳化硅芯片的五大关键工艺步骤电子器件
第三代半导体碳化硅行业深度研究报告腾讯新闻
碳化硅绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor , IGBT）是一种复合全控型电压驱动 式功率半导体器件，是能源变换与传输的核心器件。 SiC IGBT 结合了 SiC MOSFET 和 SiC 晶体管的优点，得益 于 SiC 的宽禁带和极高的电压等级，SiC 基 IGBT 的性能与 Si 基 IGBT 较大的差别是动静态特性。 正向性是静 态特性的重要组成部分，也就 新型碳化硅材料制成的晶片热处理及其掺杂扩散部件有水平式或竖立式晶舟;工艺管;晶托，悬臂桨。 国内晶片生产线几乎全部是引进的国外设备。 晶片热处理及其掺杂扩散部件也是完全依赖进口，都属于易耗品，价值高，每件价格在60009000元以上，增大了国内晶片生产的成本。 然而在国外用于单晶硅片热处理及其扩散部件的碳化硅材料从上世纪90 半导体晶片 扩散 用高纯碳化硅晶舟的产业化研究 豆丁网1、碳化硅产业链（1）竞争格局SiC 衬底市场高度集中，Wolfspeed、ⅡⅥ全面领先，2020 年山东天岳在半绝缘型市场份额达 30%。碳化硅衬底为碳化硅产业链核心环节，据 Yole 数据，2020 年半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底市场规模分别达 182 亿、276 第三代半导体产业链 1、碳化硅产业链（1）竞争格局SiC 衬
碳化硅行业发展及设备竞争格局解读交流工艺
3）与晶片产能的关系：碳化硅长得很慢，一个礼拜只长2cm，生产效率很低，一台炉子一年只能出400500片。 4）国内外的差异：设备本质是没有区别，关键在工艺，工艺需要自己积累经验摸索。 5）PVT：PVT是黑匣子，是不可监控的，记录不了规律，需要长时间、大量实验来积累经验。 并且炉子之间又有差别，每一台炉子需要不同的参数（温度，石墨中籽晶的位 ”时代电气半导体事业部SiC产品开发部部长李诚瞻说。 这是目前国际SiC芯片生产线的最高标准。 李诚瞻介绍，功率半导体器件生产经历了晶闸管、IGBT和SiC三代技术，SiC是目前最先进的技术，将在未来5年成为行业主流。 “通俗地讲，功率半导体器件就是高铁列车等的核心动力心脏。 ”李诚瞻介绍，中车株洲所自主研制生产的IGBT芯片，让中国高铁上安装上了“中国芯” 探访国内首条6英寸SiC芯片生产线全球半导体观察丨 3、晶锭加工： 将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。 4、晶体切割： 使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。 5、晶片研磨： 通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。 6、晶片抛光： 通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光 碳化硅晶片加工过程及难点碳化硅晶片高纯芯片半导体
第三代半导体重要材料碳化硅（SiC）国产化趋势分析：技术
碳化硅生产设备 与二代半导体类似，我国碳化硅生产设备也大量来自进口美欧日的产品。 比如，外延片生产国内的瀚天天成公司，碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备都是引进德国Aixtron公司的，外延生长技术已达到国际先进水平的东莞天域公司，其核心的四台SiCCVD及配套检测设备也都是进口产品。 碳化硅的设备国产化在这两年也有一些进展。 碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体 以 碳化硅 和 氮化镓 为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在 大功率、高频、高速、高温环境 下的性能限制，在 5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备 等前沿领域，发挥重要作用。 在摩尔定律遇到瓶颈、中国智造2025的大背景下，宽禁带半导体材料，无疑是中国半导体产业弯道超车的一次好机会！碳化硅芯片的五大关键工艺步骤电子器件 目前碳化硅功率器件主要分为肖特基二极管 (SBD)、MOSFET 以及模块：SiC SBD，是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制造的低功耗、超高速的分立器件，器件电压可达 1200V 以上（Si SBD 最高耐压为 200V 左右）， 能够大幅减小反向恢复损耗。 SiC MOSFET 分为平面式 MOSFET 和沟槽式 MOSFET 两种类型，可用于满足高耐压和低导通电阻 2022年碳化硅行业深度研究报告（附下载）腾讯新闻
半导体晶片 扩散 用高纯碳化硅晶舟的产业化研究 豆丁网
新型碳化硅材料制成的晶片热处理及其掺杂扩散部件有水平式或竖立式晶舟;工艺管;晶托，悬臂桨。 国内晶片生产线几乎全部是引进的国外设备。 晶片热处理及其掺杂扩散部件也是完全依赖进口，都属于易耗品，价值高，每件价格在60009000元以上，增大了国内晶片生产的成本。 然而在国外用于单晶硅片热处理及其扩散部件的碳化硅材料从上世纪90年代已开始产业化 碳化硅(SiC)，又称金刚砂。碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为95级，仅次于世界上最硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时 关于碳化硅的合成、用途及制造工艺 21ic电子网1、碳化硅产业链（1）竞争格局SiC 衬底市场高度集中，Wolfspeed、ⅡⅥ全面领先，2020 年山东天岳在半绝缘型市场份额达 30%。碳化硅衬底为碳化硅产业链核心环节，据 Yole 数据，2020 年半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底市场规模分别达 182 亿、276 第三代半导体产业链 1、碳化硅产业链（1）竞争格局SiC 衬
碳化硅（SiC）纵览—第 3 期：SiC MOSFET 的导通电阻 知乎
最后，封装将为每个设备增加一个小电阻，因为使用一些细线键将半导体芯片连接到封装。 这会影响本文分析的大多数 SiC 器件，但事实上，图 1 中的 Si 器件如此出色的部分原因是该数据来自裸芯片，没有封装电阻。 要了解 SiC 的现状，需要考虑这些电阻中的每一个。 但首先要问一个问题： 额定电压为 650 V 的 SiC MOSFET 击穿电压是多少？ 这个问题的答案相当令